エルピーダメモリの安達氏がTSVについて講演，「超大容量DRAMへの道筋付いた」
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20100608/183308/
TSV（Through-Silicon Via）の略で、日本語にすると、シリコン貫通電極
資料：Wikipedia:TSV
Si貫通電極（シリコンかんつうでんきょく、through-silicon via、TSV）とは、電子部品である半導体の実装技術の1つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極のことである。複数枚のチップを積ねて1つのパッケージに収める場合に、従来ではワイヤ・ボンディングで行なわれている上下のチップ同士の接続をこの貫通電極で行なう。
この技術を注目する理由は、今までよりも遥かに多いビット数のバスが実現できる事である。エルピーダの安達氏によれば、2010年以降に登場するのは、TSV接続によって積層されたメモリで、大容量のメモリを実現すると言う。2011年あたりに登場するTSVのバス幅は512、1024、2048bitという従来よりも遥かに多いバス幅となる。特にグラフィックプロセッサが高速化するのには、この技術は必須。例えば、最新（2010年）のビデオチップGeforce GTS480のメモリバスは384bitだがTSVを使えば、その5倍の帯域がクロック周波数を上げる事なく実現できる。
私がエルピーダの安達氏の講演に注目するのは、これが研究所の人間ではなく、メーカーの人間として、近い将来のTSVについて語っている点である。この技術が実用化されれば、CPUやGPUの並列度が増し、高速化する。ある意味、小さなスーパーコンピューターと言える。プロセッサとメモリをかなり近づける事ができるので、低い電圧で省電力、多ビットで大量のデータを伝送できる。つまり、それは高速で省電力なプロセッサの土台となる。こういうプロセッサが登場する事で、3DCGがリッチになり、バーチャルワールドがリアルになる事によって、都市の電子化が進めば、通勤しなくても働ける世界も近いかもしれない。
