サムスン電子、2013年8月6日、三次元構造のNANDメモリチップを量産した。容量は1チップで128Gビット（16Gバイト）である。
サムスン電子が「業界初」の3次元NANDを量産
http://eetimes.jp/ee/articles/1308/07/news047.html
技術概要
・3次元チャージトラップフラッシュ（CTF）技術
・垂直に積み重ねたセル間を接続する垂直配線プロセス技術（TSVのことね）
（サムスンによれば、最大24層のセルを重ねることが出来るという）
量産を開始した「V-NAND」の性能（容量2倍、速度2倍）
・20nmクラスの従来の平面型NANDメモリよりも2倍以上の記録密度
・10nmeプロセスを利用した平面NANDに比べて...
・書き換え回数の信頼性が2〜10倍
・書き込み速度も2倍向上
平面型（プレーナ型）では、非常に困難になっている微細化を用いなくても、セル層を増やすことで、大容量家できるという。将来的には、1チップ当たり、1Tビットも実現できるという。この三次元NANDについては、東芝も今年中に量産の予定だという。つまり、これからは、微細化ではなく積層によるスペックアップが行われるようだ。
3Dセルの未来
3Dセルメモリーが本格的に量産されるというのは、非常に面白い。これからの半導体のトレンドが微細化から積層へ向かう転換点に来ているのかもしれない。半導体メーカーは古い製造設備を3年毎に更新してきた。しかし、これからは、積層技術によって設備の寿命が延び、設備あたりの生産性が高まるだろう。そうやって低コスト化していくトレンドに入っているのかもしれない。そのうちプロセッサーにも波及して、プロセッサとメモリを積層していく、そのメモリが積層していて大容量、不揮発なんてことになると、1チップコンピューターの出来上がりである。積層メモリは、ピン数を従来よりも増やすことが出来るので、ピンとピンの間が近いので転送速度を上げることが出来、同時に低電圧で転送できるため、電力消費も少ない。よって、これからどんどん普及していく技術になる。東芝も今年中に量産ということだから、これから、どんどん、この流れは加速していくだろう。
