「STT-MRAMの量産化は2012〜2013年」、Grandisが見通し示す
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20110614/192545/
Grandis社：サムスンに買収された会社
STT-MRAM：DRAM並の高速性、大容量、書き換え回数を持ち不揮発というメモリ
(Spin Transfer Torque)-MRAM
予定
2011年に64Mbitタイプの量産を予定しているという。しかし、STT-MRAMの本領は、この水準ではない、Gbitクラスの大容量メモリだ。そのクラスに追いつくのは2015年くらいだという。2018年までにNANDFlashに追いつくのだそうだ。そして、現在のDRAMで問題となっている20ナノメートル以下のメモリが作れないという状況もSTT-MRAMはクリアできるという。2017年には16nm世代品も量産化できるとの見通しがあるという。
このメモリの素晴らしいところは、予定通り量産されれば、2015年のパソコンは、起動するという動作がゼロになるということだ。ソフトを起動するという動作もなくなるだろう。この頃には、恐らく貫通電極を使った多ビットバスが実用化されているだろうから、メモリ帯域も飛躍的に向上しているはずだ。今までのPCとは使い方が別物になると思う。
つまり、所有ソフトが、既に起動しているような操作感覚、ソフトに異常が起きたときに再起動をするような時代になる。メモリ帯域も広くなっているから、あらゆる動作が滑らかに高速に機能する。その様は、日本のアニメとディズニーのアニメくらいに違うだろう。それが電源が切れてもデータが消えないので、停電になったとしても大丈夫というわけだ。
次世代磁気メモリ「STT-RAM」の行方
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20110808_465645.html
ルネサスが、65nm以下向けのMRAMを米ベンチャーと共同開発 （2006.2）
http://ednjapan.cancom-j.com/content/issue/2006/02/pulse/pulse05.html
STT-MRAMのイメージ図がある。
STT-MRAMは言ってみれば、第二世代のMRAMと言える。磁気で記録するという点は同じ、違うのは、従来のMRAMが微細化が進むと書き換えに必要な電流が指数対数倍に膨れ上がるのに対し、STT-MRAMは、微細化するほど省電力になるという大容量化に向いた特徴を持っている。それでいて、DRAMと同じセル面積が実現できるというから、次世代のメモリはSTT-MRAMに決まるかもしれないという予感さえしてくるほど優れた特徴を備えている。
このメモリが量産されれば、PCの使い方が変わり、世界が変わると思う。
