東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らが0.5nsでデータを書き換え可能な不揮発磁気メモリ素子の動作実証に成功したと発表 0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証 (1/2) http://eetimes.jp/ee/articles/1606/20/news034.html 不揮…