東北大学が3月22日、第3のスピン軌道トルク磁化反転方式の動作を実現し、新構造磁気メモリ素子の開発に成功したと発表した。 東北大学ら、MRAMにおける“第3のスピン軌道トルク磁化反転方式”を開発 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160323_749624.…