産業総合研究所がスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）の記憶素子に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗（TMR）素子の記憶安定性を、従来の2倍に向上させることに成功したと発表 EE Times:産総研、TMR素子の記憶安定性を約2倍に向上 ht…